據(jù)外媒報道,來自意大利ISOF-CNR、那不勒斯費德瑞科二世大學(xué)以及摩德納大學(xué)的研究人員日前成功開發(fā)出了基于CVD石墨烯片的新型有機n型FET晶體管(OFET)。
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研究人員表示,他們所使用的新工藝和材料可以實現(xiàn)柔性、透明和短通道的OFET,而這種OFET可以在未來用于OLED或OLET(有機發(fā)光晶體管)顯示器。
為了制造這一新的晶體管,研究人員使用PDIF-CN2(一種二烯丙基二亞胺衍生物)熱蒸發(fā)薄膜作為晶體管活性通道的有機半導(dǎo)體,同時采用單層CVD石墨烯作為電極材料,最終通過電子束蝕刻(EBL)和反應(yīng)離子蝕刻(RIE)制造出這一器件架構(gòu)。
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研究人員解釋道,這些新型OFET充分利用了石墨烯優(yōu)異的機械、光學(xué)和電學(xué)性能。目前,石墨烯在薄層電阻和透明度方面與更常用的透明電極材料(如ITO和其他碳基替代品)之間的差距越來越小。
該研究小組的下一個目標(biāo)是實現(xiàn)高頻器件,并實現(xiàn)石墨烯OFET在兆赫茲頻率下的正常運作。
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